@MASTERSTHESIS{ 2016:14058745,
 	title = {Estudo teórico de nanotubos de arseneto de Gálio},
 	year = {2016},
 	url = "http://www.bdtd.ueg.br/handle/tede/696",
 	abstract = "Desde a descoberta dos nanotubos de carbono em 1991, e dos nanotubos
 inorgânicos em 1992, desenvolveu-se um interesse significativo em relação ao
 estudo destas novas formas de modo a se estabelecer uma relação entre a
 estrutura e as propriedades apresentadas. Dentro da classe de materiais
 semicondutores, formados por elementos dos grupos III-V, o GaAs é
 considerado um candidato em potencial para substituição do Si na fabricação de
 dispositivos eletrônicos, devido às propriedades apresentadas e a gama de
 aplicações tecnológicas. Entre as formas em que o GaAs pode ser encontrado,
 estudos teóricos e experimentais relatam a formação de clusteres, ligas ternárias
 e estruturas tubulares, obtidas apenas em associação com InAs. Dentre estas
 geometrias os nanotubos são os que se têm menos informações em relação à
 estrutura, estabilidade e propriedades. Neste sentido este trabalho tem como
 objetivo analisar a estabilidade de formação de nanotubos de GaAs, a partir dos
 planos cristalinos (1 0 0), (1 1 0) e (1 1 1) obtidos do cristal zinco blenda,
 utilizando algoritmos desenvolvidos em linguagem de programação Shell Bash
 do Linux. As informações e propriedades obtidas foram calculadas utilizando os
 métodos mecânico-quânticos semi-empírico PM7 e ab initio B3LYP e HF, com
 as bases 3-21 e 6-31G. Levando-se em consideração os nanotubos obtidos após
 a otimização, estas geometrias tendem a apresentar uma maior estabilidade em
 comparação com seus respectivos planos cristalinos de origem, onde os modelos
 do tipo (1 1 0) tendem a apresentar uma maior estabilidade em relação ao (1 1 1)
 e (1 0 0), sendo que os modelos do tipo (1 0 0) apresentam menor estabilidade.
 Através dos diâmetros médios que foram calculados em função do tipo de região
 pode se estabelecer que os modelos obtidos a partir do plano (1 0 0) apresentam
 um formato semelhante a uma hipérbole, onde as extremidades possuem
 maiores diâmetros em relação ao meio, enquanto nos modelos dos tipos (1 1 0) e
 (1 1 1) prevalece a formação de estruturas cônicas, nas quais as pontas de As
 tendem a apresentar menor diâmetro em relação ao meio e as pontas de Ga. A
 formação de estruturas com regiões assimétricas promove a transferências de
 carga eletrônica entre os átomos de Ga e As, favorecendo a estabilização destas
 geometrias. Para a avaliação dos orbitais moleculares HOMO e LUMO,
 observou-se que o aumento da quantidade de átomos por nível, e da quantidade
 de níveis, interferem diretamente no Gap, onde os orbitais que apresentam maior
 contribuição na formação das bandas de valência e condução são os orbitais pz
 dos átomos de Ga e os orbitais d dos átomos de As, e os cálculos para os
 modelos mais estáveis utilizando os métodos ab initio B3LYP e HF, descrevem
 a formação de materiais com características de semicondutor.",
 	publisher = {Universidade Estadual de Goiás},
 	scholl = {Programa de Pós-Graduação Stricto sensu em Ciências Moleculares},
 	note = {UEG ::Coordenação de Mestrado Ciências Moleculares}
}